SIHD6N62ET1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIHD6N62ET1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2000+ | $0.6924 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Serie | E |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 78W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 578 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 620 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
Grundproduktnummer | SIHD6 |
SIHD6N62ET1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIHD6N62ET1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
MOSFET N-CH 500V 5.3A DPAK
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIHD6N62ET1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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